( begin array l E_ M^ 2 / M ^ circ =+0.32 ~V E_ M^ - / M^ 2 =+0.78 ~V E_ Zn^ 2 / / / Zn =-0.76 ~V end array ) ( M ) এবং ( M^ prime ) ধাতু যথাক্রমে ( 0.1 M M left(NO_ 3 right)_ 2 ) দ্রবণ ও ( 0.2 M M^ prime NO_ 3 ) দ্রবণে অবস্থান করছে যারা একটি তড়িৎবিশ্লেষ্য কোষ গঠন করে।
1.EM2/M∘=+0.32VEM−/M2=+0.78VEZn2///Zn=−0.76VM এবং M′ ধাতু যথাক্রমে 0.1MM(NO3)2 দ্রবণ ও 0.2MM′NO3 দ্রবণে অবস্থান করছে যারা একটি তড়িৎবিশ্লেষ্য কোষ গঠন করে।