Ge ও Si ডায়োড দু'টির মী-ভোল্টেজ যথাক্রমে (0.7V )ও (0.3V ) Ge ডায়োডকে উল্টো করে সংযোগ দিলে দুই প্রাক্ষের বিভব পার্থক্য- i. বিমুখী ঝোঁক প্রাপ্ত হবে ii. রোধের মধ্যদিয়ে কোনো তড়িৎ প্রবাহিত হবে না iii. রোধের দুই প্রাপ্তের বিভব পার্থক্য শূন্য হবে নিচের কোনটি সঠিক?
1.
CTG.B 21MB 21
